株式会社半导体能源研究所浅见良信获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110088700.0，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权半导体装置及其制造方法是由浅见良信设计研发完成，并于2016-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一氧化物半导体层； 位于所述第一氧化物半导体层上的源电极层和漏电极层； 与所述源电极层的顶面、所述漏电极层的顶面和所述第一氧化物半导体层的侧面接触的绝缘层； 位于所述绝缘层上并与所述源电极层的侧面和所述漏电极层的侧面接触的第二氧化物半导体层； 隔着所述第二氧化物半导体层位于所述第一氧化物半导体层上的栅电极层；以及 位于所述第二氧化物半导体层和所述栅电极层之间的栅绝缘层， 其中，所述第一氧化物半导体层具有与所述源电极层接触的第一区域、与所述漏电极层接触的第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间并与所述第二氧化物半导体层接触的第三区域，并且 其中，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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