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龙图腾网获悉深圳佰维存储科技股份有限公司申请的专利DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110085435.0，技术领域涉及：G11C29/04；该发明授权DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备是由孙成思;孙日欣;雷泰设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，基于预设间隔以预设测试单元为单位对待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完待测试的DRAM的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据向目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，能够模拟具有一定间隔的非连续的访问方式，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使桥接故障和耦合故障等多存储单元故障得到激发，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。

本发明授权DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤： 对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果； 所述测试包括： 对待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据； 基于预设间隔以预设测试单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元； 对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较； 第一轮测试与第二轮测试的第一预设读写单元不同； 根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果； 所述基于预设间隔以预设测试单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元包括： 从每一第一预设读写单元的预设位置开始，对每一所述第一预设读写单元中每间隔预设间隔的所有预设测试单元进行遍历； 所述待测试的DRAM中每间隔预设间隔的所有预设测试单元中沿第一预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔，沿第二预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔； 将每一所述第一预设读写单元的预设位置设置为与其相邻的下一位置，并返回执行从每一第一预设读写单元的预设位置开始步骤直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元； 所述待测试的DRAM中每间隔预设间隔的所有预设测试单元中沿第一预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔，沿第二预设方向的相邻预设测试单元之间间隔所述预设间隔包括： 根据所述预设间隔循环选取对应的连续个数的第一预设读写单元直至遍历完所述待测试的DRAM的所有第一预设读写单元； 对于每次选取的所述连续个数的第一预设读写单元中，按照所述第一预设读写单元的序号顺序各个第一预设读写单元的预设位置依次递增一。

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