日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110014399.9，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；扇出结构，设置在衬底上，并且包括：第一扇出层，通过第一粘胶层附接至衬底，第一扇出层包括穿过第一粘胶层的第一通孔，第一通孔电连接至衬底；第二扇出层，通过倒装的方式电连接至第一扇出层。在实施例中，还提供一种形成半导体结构的方法。本申请的目的在于至少提高半导体结构的使用价值。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 扇出结构，设置在所述衬底上，并且包括： 第一扇出层，通过第一粘胶层附接至所述衬底，所述第一扇出层包括穿过所述第一粘胶层的第一通孔，所述第一通孔电连接至所述衬底； 第二扇出层，通过倒装的方式电连接至所述第一扇出层； 所述第二扇出层具有第二通孔上形成有互连层以及所述互连层上的焊料层，所述焊料层接合至所述第一通孔， 其中，所述互连层和所述焊料层与所述第一通孔和第二通孔一起形成连接部，所述连接部为中间宽而两端背离所述中间逐渐变窄的形状。
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