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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110103951.1，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权制造半导体器件的方法是由三原龙善设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在包括半导体衬底、绝缘层和半导体层的衬底上形成MISFET之后，在该衬底上形成层间绝缘膜和第一绝缘膜。而且，在第一绝缘膜和层间绝缘膜中的每一个中形成开口之后，在开口的底部和开口的侧表面中的每一个处、以及还在第一绝缘膜的上表面上形成第二绝缘膜。此外，通过蚀刻去除形成在开口的底部处的第二绝缘膜和形成在第一绝缘膜的上表面上的第二绝缘膜中的每一个。之后，在如下条件下蚀刻开口内部：与绝缘层相比，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的每一个被更少地蚀刻。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： a提供衬底，所述衬底包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的绝缘层、形成在所述绝缘层上的半导体层、以及经由栅极绝缘膜形成在所述半导体层上的栅极电极； b在步骤a之后，通过外延生长法在位于所述栅极电极的两侧的所述半导体层上形成外延层； c在步骤b之后，通过硅化所述外延层，在所述外延层中形成金属硅化物层； d在步骤c之后，在所述衬底上形成层间绝缘膜以覆盖所述栅极电极和所述金属硅化物层； e在步骤d之后，在所述层间绝缘膜上形成第一绝缘膜； f在步骤e之后，在所述第一绝缘膜和所述层间绝缘膜中的每一个的与所述金属硅化物层重叠的部分处形成开口； g在步骤f之后，在所述开口的底部和所述开口的侧表面中的每一个处、以及在所述第一绝缘膜的上表面上，形成第二绝缘膜； h在步骤g之后，通过蚀刻去除以下中的每一个：形成在所述开口的所述底部处的所述第二绝缘膜，以及形成在所述第一绝缘膜的所述上表面上的所述第二绝缘膜； i在步骤h之后，在如下状态下蚀刻所述开口的内部：所述层间绝缘膜的上表面被所述第一绝缘膜覆盖，并且所述开口的所述侧表面作为所述层间绝缘膜的侧表面被所述第二绝缘膜覆盖；以及 j在步骤i之后，在所述开口的内部形成由导电材料组成的插塞， 其中步骤i在如下条件下被执行：与所述绝缘层相比，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述金属硅化物层中的每一个被更少地蚀刻， 其中如果所述绝缘层通过步骤h未在所述开口的所述底部处露出，则位于所述开口下方的所述绝缘层在步骤i中未被蚀刻，并且 其中如果所述绝缘层通过步骤h在所述开口的所述底部处露出，则位于所述开口下方的所述绝缘层在步骤i中被蚀刻，从而所述半导体衬底被露出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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