日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110760695.3，技术领域涉及：H10W72/40；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面、第一部分及第二部分，其中，所述第一部分的杨氏模量大于所述第二部分的杨氏模量；芯片，埋设于所述第二部分内，所述第一部分设置于所述芯片和所述第一表面之间，所述第二部分设置于所述第一部分和所述第二表面之间。通过第一部分与第二部分的杨氏模量差，以使得埋设于第二部分的芯片在远离第一部分的一侧能够释放应力，进而降低应力积累造成芯片破裂的风险。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 基板，具有相对的第一表面和第二表面、第一部分和第二部分及第三部分，其中，所述第一部分的杨氏模量大于所述第二部分的杨氏模量； 芯片，埋设于所述第二部分内，所述第一部分设置于所述芯片和所述第一表面之间，所述第二部分设置于所述第一部分和所述第二表面之间； 其中，所述第一部分包括第一子基板和设置于所述第一子基板下表面的第一粘合层；所述第三部分为第二子基板；所述第二部分为设置于所述第二子基板的边缘或者内部、包覆所述芯片的第二粘合层； 其中，作用于所述芯片上的应力向远离所述第一部分的一侧传递，使得所述芯片上的应力降低。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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