三星电子株式会社朴水贤获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110120166.7，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体装置是由朴水贤;朴径范;白宗玟;李长镐;刘禹炅;郑德泳设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 晶体管，位于基底上； 第一层间绝缘层，位于晶体管上； 下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中； 蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上； 第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上； 上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；以及 蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触， 其中，第二层间绝缘层在蚀刻停止图案上和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸， 其中，蚀刻停止层包括其上有蚀刻停止图案的表面处理区域，并且 其中，表面处理区域中的碳的第一浓度比蚀刻停止层的与表面处理区域不同的另一区域中的碳的第二浓度低。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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