意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司A·贾因获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司申请的专利用于驱动晶体管的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113765390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110619343.6，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权用于驱动晶体管的方法和设备是由A·贾因;I·C·马西米亚尼设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于驱动晶体管的方法和设备在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及用于驱动晶体管的方法和设备。一种驱动电路，包括：基准电压生成器，用于基于互补电路的操作频率生成基准电压；比较器，包括被配置为接收场效应晶体管的漏极‑源极电压的第一输入，并且包括用于接收基准电压的第二输入；以及信号生成器，用于向场效应晶体管的栅极端子递送驱动信号，以在第一低侧场效应晶体管的漏极‑源极电压变得小于基准电压后，将场效应晶体管驱动至导通状态，并且在场效应晶体管的漏极‑源极电压变得大于基准电压后，将场效应晶体管驱动至关断状态。
本发明授权用于驱动晶体管的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路，包括： 基准电压生成器，包括查找表，所述基准电压生成器被配置为基于互补电路的操作频率根据所述查找表生成基准电压； 比较器，包括： 第一输入，被配置为接收第一低侧场效应晶体管的漏极-源极电压；和 第二输入，耦合到所述基准电压生成器的输出，以接收所述基准电压；以及 信号生成器，耦合到所述比较器的输出，所述信号生成器被配置为：向所述第一低侧场效应晶体管的栅极端子递送驱动信号，以在所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极-源极电压变得小于所述基准电压后，将所述第一低侧场效应晶体管驱动至导通状态，并且在所述第一低侧场效应晶体管的所述漏极-源极电压变得大于所述基准电压后，将所述第一低侧场效应晶体管驱动至关断状态。
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