美光科技公司O·R·费伊获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利三维堆叠半导体组合件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113950738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080043206.6，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权三维堆叠半导体组合件及其制造方法是由O·R·费伊;C·H·育;M·E·塔特尔设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维堆叠半导体组合件及其制造方法在说明书摘要公布了：本文公开半导体装置封装及相关联组合件。在一些实施例中，所述半导体装置封装包含：衬底，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；第一金属化层，其位于所述衬底的所述第一侧处；及第二金属化层，其在所述衬底中且电耦合到所述第一金属化层。所述半导体装置封装进一步包含：金属凸块，其电耦合到所述第一金属化层；及凹槽，其形成于所述衬底的所述第二侧处且与所述金属凸块对准。所述凹槽暴露所述第二金属化层的部分且使所述部分能够电耦合到另一半导体装置封装。
本发明授权三维堆叠半导体组合件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装，其包括： 衬底，其具有有源侧及与所述有源侧相对的非有源侧，所述衬底包括 第一金属化层，其位于所述有源侧处； 第二金属化层，其至少部分地嵌入在所述衬底中且在不使用硅穿孔TSV的情况下直接地电耦合到所述第一金属化层，其中 所述衬底的所述非有源侧包括凹槽，所述凹槽暴露所述第二金属化层的部分以在外部装置与所述第二金属化层之间提供直接的电连接；及 金属凸块，其从所述有源侧突出，与所述凹槽直接对准，并且电耦合到所述第一金属化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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