爱思开海力士有限公司卢侑炫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110313184.7，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权半导体装置的制造方法是由卢侑炫设计研发完成，并于2021-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体装置的制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：形成具有彼此交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构；形成穿过层叠结构的第一狭缝；形成穿过层叠结构的第二狭缝；形成在第一狭缝和第二狭缝之间穿过层叠结构的接触孔；形成将第一狭缝、第二狭缝和接触孔密封的密封层；形成穿过密封层以形成第一密封区域并且部分地暴露出第一狭缝以形成第一暴露区域的第一开口；通过填充第一暴露区域和第一密封区域形成第一狭缝绝缘层；对密封层进行蚀刻以使接触孔敞开；以及在接触孔中形成第一接触插塞。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤： 形成具有彼此交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠结构； 形成穿过所述层叠结构的第一狭缝； 形成穿过所述层叠结构的第二狭缝，所述第一狭缝和所述第二狭缝在平面图上沿第一方向延伸； 形成穿过所述层叠结构的在所述第一狭缝和所述第二狭缝之间的接触孔； 在所述第一狭缝、所述第二狭缝和所述接触孔上方形成密封所述第一狭缝、所述第二狭缝和所述接触孔的入口的密封层； 形成穿过所述密封层并且在所述第一方向上部分地暴露出所述第一狭缝的第一开口； 在所述第一狭缝中所包括的在所述第一方向上的第一暴露区域和第一密封区域中形成第一狭缝绝缘层，所述第一暴露区域是所述第一狭缝的通过所述第一开口暴露出的部分，并且所述第一密封区域是所述第一狭缝的由所述密封层密封的部分； 对所述密封层进行蚀刻以使所述接触孔敞开；以及 在所述接触孔中形成第一接触插塞。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励