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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及该半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110338972.1，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权半导体装置及该半导体装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及该半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：基板；第一连接结构，其设置在基板上，第一连接结构包括第一连接导体；晶体管，其设置在基板和第一连接结构之间；第一接合结构，其包括连接至第一连接导体的第一接合焊盘；第二接合结构，其包括连接至第一接合焊盘的第二接合焊盘；第二连接结构，其包括连接至第二接合焊盘的第二连接导体；层叠结构，其设置在第二连接结构上；沟道结构，其穿透层叠结构；以及芯片保护件，其穿透第二连接结构、第二接合结构、第一接合结构和第一连接结构，芯片保护件围绕层叠结构和沟道结构。

本发明授权半导体装置及该半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 基板； 第一连接结构，所述第一连接结构设置在所述基板上，所述第一连接结构包括第一连接导体； 晶体管，所述晶体管设置在所述基板和所述第一连接结构之间，所述晶体管连接至所述第一连接导体； 第一接合结构，所述第一接合结构包括连接至所述第一连接导体的第一接合焊盘，所述第一接合结构被设置在所述第一连接结构上； 第二接合结构，所述第二接合结构包括连接至所述第一接合焊盘的第二接合焊盘，所述第二接合结构被设置在所述第一接合结构上； 第二连接结构，所述第二连接结构包括连接至所述第二接合焊盘的第二连接导体，所述第二连接结构被设置在所述第二接合结构上； 层叠结构，所述层叠结构设置在所述第二连接结构上，所述层叠结构包括交替层叠的绝缘层和导电图案； 沟道结构，所述沟道结构穿透所述层叠结构，所述沟道结构连接至所述第二连接导体；以及 芯片保护件，所述芯片保护件穿透所述第二连接结构、所述第二接合结构、所述第一接合结构和所述第一连接结构，所述芯片保护件围绕所述层叠结构和所述沟道结构， 其中，所述芯片保护件包括单个连续件，所述单个连续件垂直延伸穿过所述第二连接结构、所述第二接合结构和所述第一接合结构，并且延伸到所述第一连接结构中。

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