买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利半导体结构及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111367380.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及半导体结构的制备方法是由柳月波;赖灿雄;杨少华;路国光设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：第一AlGaNAlNGaN异质结构，第一AlGaNAlNGaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第一二维电子气沟道；第二AlGaNAlNGaN异质结构，第二AlGaNAlNGaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第二二维电子气沟道；第三AlGaNAlNGaN异质结构，第三AlGaNAlNGaN异质结构中的AlN层与GaN层的界面处存在第三二维电子气沟道；第一二维电子气沟道中的电子浓度、第二二维电子气沟道中的电子浓度及第三二维电子气沟道中的电子浓度之间的差值小于预设值，进而调节载流子分布，以实现减小器件电阻值、减小反向漏电流和减小器件工作状态下的发热量的目的。

本发明授权半导体结构及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括： 第一AlGaNAlNGaN异质结构，所述第一AlGaNAlNGaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第一二维电子气沟道； 第二AlGaNAlNGaN异质结构，所述第二AlGaNAlNGaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第二二维电子气沟道； 第三AlGaNAlNGaN异质结构，所述第三AlGaNAlNGaN异质结构中的所述AlN层与所述GaN层的界面处存在第三二维电子气沟道； 所述第一二维电子气沟道中的电子浓度、所述第二二维电子气沟道中的电子浓度及所述第三二维电子气沟道中的电子浓度之间的差值小于预设值； 其中，所述第一AlGaNAlNGaN异质结构中AlGaN层的厚度与所述第三AlGaNAlNGaN异质结构中AlGaN层的厚度为6nm~10nm，所述第二AlGaNAlNGaN异质结构中AlGaN层的厚度为30nm~50nm； 所述第一AlGaNAlNGaN异质结构中AlN层的厚度、所述第二AlGaNAlNGaN异质结构中AlN层的厚度和第三AlGaNAlNGaN异质结构中AlN层的厚度为0.5nm~1.5nm； 所述第一AlGaNAlNGaN异质结构中GaN层的厚度、第二AlGaNAlNGaN异质结构中GaN层的厚度和第三AlGaNAlNGaN异质结构中GaN层的厚度为8nm~12nm； 所述第一AlGaNAlNGaN异质结构的背景载流子浓度、所述第二AlGaNAlNGaN异质结构的背景载流子浓度和所述第三AlGaNAlNGaN异质结构的背景载流子浓度均为0.5×1016cm-3~1.5×1016cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。