超威半导体公司斯凯勒·J·萨利赫获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利制造有源电桥耦合的GPU小芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114467166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080067204.0，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权制造有源电桥耦合的GPU小芯片是由斯凯勒·J·萨利赫;吴锐进;米林德·S·巴格瓦特;拉胡尔·阿加瓦尔设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造有源电桥耦合的GPU小芯片在说明书摘要公布了：公开了各种多裸片布置及其制造方法。在一些实施方案中，制造方法包括面对面工艺，其中将第一GPU小芯片和第二GPU小芯片接合到临时载体晶片。在将GPU小芯片安装到载体衬底之前，将有源电桥小芯片的正面接合到第一和第二GPU小芯片的正面。在其他实施方案中，制造方法包括面对背工艺，其中将有源电桥小芯片的正面接合到第一和第二GPU小芯片的背面。
本发明授权制造有源电桥耦合的GPU小芯片在权利要求书中公布了：1.一种形成有源电桥耦合的GPU小芯片的方法，其包括： 将第一GPU小芯片和第二GPU小芯片接合到临时载体晶片； 将有源电桥小芯片的有源面接合到所述第一GPU小芯片和所述第二GPU小芯片的有源面，其中所述有源电桥小芯片包括由所述第一GPU小芯片和所述第二GPU小芯片共享的高速缓存存储器级别并且其中所述有源桥小芯片的所述有源面接合到所述第一和第二GPU小芯片的所述有源面使得在操作期间，所述第一和第二GPU小芯片可被寻址为单个裸片；以及 将所述第一GPU小芯片和所述第二GPU小芯片安装到载体衬底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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