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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011265480.6，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权半导体结构的形成方法是由刘睿;姚笛设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供当前晶圆，当前晶圆包括若干个芯片区，且当前晶圆上依次形成有待刻蚀层和芯模结构，芯模结构包括牺牲层以及覆盖层，各芯片区的覆盖层的厚度具有差异；在芯模结构的侧壁上形成侧墙；刻蚀部分覆盖层和部分牺牲层，直至暴露出待刻蚀层的表面，在剩余芯模结构内形成第一开口；获取当前晶圆各芯片区的牺牲层的刻蚀速率并反馈至控制系统，各芯片区的牺牲层的刻蚀速率具有差异；控制系统根据牺牲层的刻蚀速率调整下一晶圆上形成的覆盖层的厚度，随着牺牲层的刻蚀速率的增大，在下一晶圆上形成的覆盖层的厚度依次增加。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，有利于提高图形尺寸均一性，提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供当前晶圆，所述当前晶圆包括若干个芯片区，且所述当前晶圆上形成有待刻蚀层； 在各所述芯片区的所述待刻蚀层上形成若干相互分立的芯模结构，所述芯模结构包括位于所述待刻蚀层上的牺牲层以及位于所述牺牲层表面的覆盖层，各所述芯片区的所述覆盖层的厚度具有差异； 在所述芯模结构的侧壁上形成侧墙； 采用湿法刻蚀工艺刻蚀部分所述覆盖层和部分所述牺牲层，直至暴露出所述待刻蚀层的表面，在剩余所述芯模结构内形成第一开口； 获取当前晶圆各芯片区的所述牺牲层的刻蚀速率并反馈至控制系统，各芯片区的所述牺牲层的刻蚀速率具有差异； 所述控制系统根据所述牺牲层的刻蚀速率调整下一晶圆上形成的覆盖层的厚度，在刻蚀速率快的所述芯片区上形成的覆盖层的厚度大于在刻蚀速率慢的芯片区上形成的覆盖层的厚度，随着各所述芯片区上所述牺牲层的刻蚀速率的增大，在下一晶圆各所述芯片区上形成的覆盖层的厚度依次增加，刻蚀速率快的所述芯片区上的牺牲层的刻蚀时间小于刻蚀速率慢的所述芯片区上的牺牲层的刻蚀时间。

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