苏州能讯高能半导体有限公司张晖获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利半导体外延结构及其制备方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011321564.7，技术领域涉及：H10D62/60；该发明授权半导体外延结构及其制备方法和半导体器件是由张晖;李仕强;钱洪途设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体外延结构及其制备方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体外延结构及其制备方法和半导体器件，涉及微电子技术领域，半导体外延结构通过在成核层中掺杂硅原子，同时硅原子的初始掺杂浓度与成核层的上表面和沟道层的上表面之间的距离负相关，而硅原子在成核层中通常以施主的形式存在，会释放一个电子，因此在成核层中掺杂适量的硅原子即提供适量的电子后，原先处于半填充状态的能级会优先捕获这些电子而变成全填充或者接近全填充的状态，这样便可大大减少处于半填充状态的能级，进而减少这些能级对器件电子的捕获，便可以增强器件性能同时增加器件的可靠性。同时，通过对硅原子的掺杂浓度的限定，使得硅原子的掺杂不会影响器件的耐压性能。
本发明授权半导体外延结构及其制备方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的半导体层，所述半导体层包括成核层和沟道层，所述成核层为掺杂碳的高阻值半导体材料层； 其中，所述成核层中掺杂有硅原子，且所述成核层中所述硅原子的初始掺杂浓度与所述成核层的上表面和所述沟道层的上表面之间的距离负相关； 所述成核层中硅原子的初始掺杂浓度满足以下关系： n=-2.6e14·X+5.3e17； 其中，n为所述成核层中硅原子的初始掺杂浓度，单位个cm3； X为所述成核层的上表面和所述沟道层的上表面之间的距离，单位nm。
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