应用材料公司阿布舍克·杜贝获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利提高选择性外延生长的生长速率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210091935.X，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权提高选择性外延生长的生长速率的方法是由阿布舍克·杜贝;李学斌;黄奕樵;仲华;舒伯特·S·楚设计研发完成，并于2016-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高选择性外延生长的生长速率的方法在说明书摘要公布了：本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度，将包含三氯硅烷TCS的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x102121个原子或以上的磷浓度，其中该含硅外延层在约150托或以上的腔室压力下沉积。
本发明授权提高选择性外延生长的生长速率的方法在权利要求书中公布了：1.一种在基板上形成薄膜的方法，所述方法包括以下步骤： 将设置在处理腔室内的基板加热至550℃至800℃的温度，并且将所述基板暴露于包括三氯硅烷TCS的预处理气体；以及 通过在整个沉积工艺中将所述基板暴露至包括SiCl4和二氯硅烷DCS的硅源和氯化氢HCl来执行沉积工艺，以在所述基板上沉积含硅外延层，其中所述含硅外延层在150托或更大的腔室压力下沉积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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