加利福尼亚大学董事会M.S.黄获国家专利权
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龙图腾网获悉加利福尼亚大学董事会申请的专利改善含镓发光器件性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076582.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权改善含镓发光器件性能的方法是由M.S.黄;J.M.史密斯;S.P.登巴尔斯设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善含镓发光器件性能的方法在说明书摘要公布了：在衬底上生长含镓半导体层，随后在器件制造期间干法蚀刻含镓半导体层。干法蚀刻后，执行表面处理以去除器件侧壁的损伤。在表面处理之后，在器件的侧壁上沉积电介质材料，以钝化器件的侧壁。这些步骤导致器件的正向电流‑电压特性的改善和泄漏电流的降低，以及器件光输出功率和效率的提高。
本发明授权改善含镓发光器件性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括： 生长在衬底上的一个或多个含铝和含镓半导体层并形成微型发光二极管microLED； 其中所述含铝和含镓半导体层被干法蚀刻以限定所述微型发光二极管的台面； 其中通过三甲基铝TMA和至少氮等离子体的交替脉冲周期对所述微型发光二极管的干法蚀刻的台面的侧壁进行表面处理，以去除所述侧壁的损伤或改变所述侧壁的表面化学性质；以及 其中包括蓝宝石Al2O3的一个或多个电介质材料沉积在所述表面处理的侧壁上，以钝化所述表面处理的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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