台湾积体电路制造股份有限公司蔡武卫获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210119192.2，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法是由蔡武卫;陈海清;杨世海;林佑明设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法。一种半导体器件包括：绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底；覆盖栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层；以及源极电极和漏极电极，接触有源层的顶表面的相应部分。电介质扩散阻挡材料不同于栅极电介质材料并选自电介质金属氧化物材料和硅电介质化合物，并且抑制随后的退火工艺中金属元素的损失。
本发明授权包括电介质扩散阻挡的薄膜晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 绝缘层，嵌有栅极电极并覆盖衬底； 覆盖所述栅极电极的顶表面的以下项的堆叠：包括栅极电介质材料的栅极电介质、包括电介质扩散阻挡材料并覆盖所述栅极电介质的电介质扩散阻挡衬里、以及有源层，其中所述电介质扩散阻挡材料不同于所述栅极电介质材料并选自电介质金属氧化物材料和硅电介质化合物； 源极电极和漏极电极，接触所述有源层的顶表面的相应部分；以及 盖帽电介质扩散阻挡衬里，所述盖帽电介质扩散阻挡衬里包括盖帽电介质金属氧化物材料并且接触所述有源层的顶表面的覆盖所述栅极电极的部分，其中，所述盖帽电介质扩散阻挡衬里接触所述栅极电介质的侧壁、所述电介质扩散阻挡衬里的侧壁和所述有源层的顶表面， 其中，所述有源层包括含铟半导体金属氧化物材料，并且所述电介质扩散阻挡衬里包括不含铟的电介质材料。
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