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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210276258.9，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器件及其制造方法是由孙昌志;夏志良;刘小欣;高庭庭;杜小龙;刘佳裔设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供三维存储器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底上形有堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠的牺牲层和绝缘层；沿垂直于衬底的纵向上形成贯穿堆叠结构的沟道孔；在沟道孔的内壁上形成第一功能层以及对应覆盖在第一功能层上的第二功能层，其中第一功能层包括沿围绕于沟道孔的中心轴线的方向上相互隔开的多个子电荷捕获层，第二功能层包括围绕于中心轴线的方向上相互隔开的多个子沟道层；在多个子沟道层的内表面上形成介质层，以使沟道孔被介质层填充。由于相互隔开的多个子沟道层形成多条存储串，一个子沟道层位于一个存储串中，不需要增加堆栈的层数就提高存储密度，相互隔开的多个子存储层避免相邻存储串之间发生串扰现象。

本发明授权三维存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形有堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的牺牲层和绝缘层； 沿垂直于所述衬底的纵向上形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述沟道孔在平行于所述衬底的平面方向上具有多个交替连接的凸出部与凹进部； 通过所述沟道孔对所述牺牲层进行刻蚀，以在所述沟道孔与所述牺牲层交错的第一交界面上形成凹槽，并使所述沟道孔在所述牺牲层处的直径大于在所述绝缘层处的直径； 在所述凹槽内形成第一功能层以及在所述沟道孔的内壁上形成覆盖在所述第一功能层上的第二功能层； 在所述第二功能层的表面上沉积牺牲材料； 去除位于所述凹进部处的部分所述牺牲材料，以暴露位于所述凹进部处的部分所述第二功能层的表面； 刻蚀位于所述凹进部处的部分所述第二功能层，以形成围绕于所述沟道孔的中心轴线的方向上相互隔开的多个子沟道层； 刻蚀位于所述凹进部处的部分所述第一功能层，以形成围绕于所述沟道孔的中心轴线的方向上相互隔开的多个子电荷捕获层； 在多个所述子沟道层的内表面上形成介质层，以使所述沟道孔被所述介质层填充。

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