苏州能讯高能半导体有限公司钱洪途获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011599765.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件是由钱洪途;裴轶;张晖设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括层叠设置于衬底一侧的缓冲层和阻挡层；阻挡层的禁带宽度大于缓冲层的禁带宽度，至少缓冲层以及阻挡层中注入有离子，阻挡层中离子的注入浓度小于缓冲层中离子的注入浓度。应用该外延结构的半导体器件可以在降低漏电的同时，保证电子迁移率。
本发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的半导体层；所述半导体层至少包括层叠设置于所述衬底一侧的缓冲层和阻挡层；所述阻挡层的禁带宽度大于所述缓冲层的禁带宽度，至少所述缓冲层以及所述阻挡层中注入有离子，所述阻挡层中所述离子的注入浓度小于所述缓冲层中所述离子的注入浓度； 所述阻挡层的厚度为10nm～50nm。
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