买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011587926.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵猛设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其形成方法包括：在形成栅极层之后，在所述第一区内形成第一阱区；在形成栅极层之后，在所述第二区内形成第二阱区，所述第二阱区的导电类型与第一阱区的导电类型不同；在所述第一阱区内掺杂第一掺杂离子形成掺杂区，所述掺杂区的导电类型与所述第一阱区的导电类型相同，且所述掺杂区与所述掺杂区相邻的栅极层侧壁在平行于所述衬底表面方向上的距离小于或等于预设尺寸，所述第一阱区内的掺杂剂和第二阱区的掺杂剂向对方扩散形成的接触界面，提高了器件的阈值电压、击穿电压等电学性能，所述掺杂区抑制了沟道效应，同时也减少了对位于所述源极和所述第二阱区之间形成的沟道造成的影响。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区； 位于所述衬底上的栅极层，部分所述栅极层位于所述第一区上，且另一部分所述栅极层还位于所述第二区上； 位于所述第一区内的第一阱区，所述第一阱区包括第三区以及和所述第三区相邻的第四区，所述第三区位于所述栅极层底部，且在垂直于所衬底表面方向上，所述第三区的深度小于或等于所述第四区的深度； 位于所述第二区内的第二阱区，所述第二阱区的导电类型与第一阱区的导电类型不同，所述第二阱区包括第五区以及和所述第五区相邻的第六区，所述第五区位于所述栅极层底部，且在垂直于所衬底表面方向上，所述第五区的深度小于或等于所述第六区的深度； 位于所述第一阱区内，且在所述栅极层底部之外的掺杂区，所述掺杂区的导电类型与所述第一阱区的导电类型相同，且所述掺杂区与所述掺杂区相邻的栅极层侧壁在平行于所述衬底表面方向上的距离小于或等于预设尺寸； 位于所述栅极层两侧的漏极和源极，所述漏极位于第二阱区内，所述源极位于所述掺杂区内，所述源极和漏极的导电类型与所述第二阱区的导电类型相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。