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龙图腾网获悉广东佛智芯微电子技术研究有限公司申请的专利一种含射频芯片的集成电路封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210404034.1，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权一种含射频芯片的集成电路封装结构及其制备方法是由崔成强;杨斌;刘宇;华显刚;林挺宇设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含射频芯片的集成电路封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法，包括：提供基板，在基板上制作线路结构，线路结构具有第一区域和第二区域；在第一区域四周制作围墙式屏蔽壁，在第二区域四周制作若干间隔设置的导电柱；提供至少一第一芯片和若干第二芯片，第一芯片为射频芯片，将其贴于第一区域，将第二芯片贴于第二区域；对第一芯片、第二芯片、屏蔽壁及导电柱塑封，形成第一塑封层；在第一塑封层上制作金属层，对该金属层图形化处理，形成与屏蔽壁上端连接并覆盖安装槽的屏蔽盖以及与铜柱上端连接的第三线路层，屏蔽壁和屏蔽盖组成屏蔽罩；提供若干第三芯片，将其贴于第三线路层上并电性引出。本发明在制备线路时同步制得屏蔽罩，简化了工艺与结构。

本发明授权一种含射频芯片的集成电路封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10、提供贴有临时键合胶的基板，在所述基板上制作线路结构，所述线路结构具有第一区域和第二区域； S20、在所述第一区域四周制作围设成环形的第一铜垫以及在所述第二区域制作若干间隔设置的第二铜垫；在所述第一铜垫上制作围墙式屏蔽壁并使所述屏蔽壁围成一安装槽，以及在所述第二铜垫上制作导电柱； S30、提供至少一个第一芯片和若干第二芯片，所述第一芯片为射频芯片，将所述第一芯片贴于所述第一区域并位于所述安装槽内，将所述第二芯片贴于所述第二区域； S40、对所述第一芯片、所述第二芯片、所述屏蔽壁以及所述导电柱进行塑封，形成第一塑封层； S50、在所述第一塑封层上制作金属层，对该金属层进行图形化处理，形成与所述屏蔽壁上端连接并覆盖所述安装槽的屏蔽盖以及与所述导电柱上端连接的第三线路层，所述屏蔽壁和所述屏蔽盖组成屏蔽罩； S60、提供若干第三芯片，将所述第三芯片贴于所述第三线路层上并电性引出。

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