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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110106482.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由孙鹏;林先军;金懿设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干初始伪栅结构，初始栅极结构包括第一伪栅层、第一掩膜层和第二伪栅层；在初始伪栅结构的侧壁和顶部表面形成侧墙材料层；在衬底上形成介质材料层；对介质材料层和侧墙材料层进行第一平坦化处理，直至暴露出第二伪栅层的顶部表面为止，第一平坦化处理对第二伪栅层的研磨速率小于对介质材料层和侧墙材料层的研磨速率。通过本方案能够保证第一平坦化处理停止在第二伪栅层的表面，且具有较为平整的处理界面，同时也使得初始侧墙的高度的均一性有效提升。且形成的初始介质层的顶部表面高于第一伪栅层的顶部表面，能够有效避免后续相邻栅极结构短接的问题，使得形成的半导体结构的性能提升。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成若干相互分立的初始伪栅结构，所述初始伪栅结构包括第一伪栅层、位于所述第一伪栅层上的第一掩膜层、以及位于所述第一掩膜层上的第二伪栅层； 在所述初始伪栅结构的侧壁和顶部表面形成侧墙材料层； 在所述衬底上形成介质材料层，所述介质材料层覆盖所述侧墙材料层的侧壁； 对所述介质材料层和所述侧墙材料层进行第一平坦化处理，直至暴露出所述第二伪栅层的顶部表面为止，形成初始介质层和初始侧墙，所述第一平坦化处理对所述第二伪栅层的研磨速率小于对所述介质材料层和所述侧墙材料层的研磨速率，且所述第一平坦化处理对所述介质材料层和所述侧墙材料层的研磨速率在预设研磨速率范围内，使得所述第一平坦化处理停止在所述第二伪栅层的表面以形成平整的处理界面，以及提升形成的所述初始侧墙的高度的均一性； 在所述第一平坦化处理之后，去除所述第二伪栅层和位于所述第二伪栅层侧壁的初始侧墙，形成侧墙；对所述初始介质层进行第二平坦化处理，直至暴露出所述第一掩膜层的顶部表面为止，形成介质层，所述第二平坦化处理对所述初始介质层的研磨速率大于对所述第一掩膜层的研磨速率；在形成所述介质层之后，去除所述第一掩膜层以及所述第一掩膜层侧壁的侧墙，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述第一伪栅层的顶部表面； 在去除所述第一掩膜层之后，去除所述第一伪栅层，在所述第一开口底部的介质层内形成第二开口；在所述第二开口内形成栅极结构； 所述栅极结构的形成方法包括：在所述第一开口内、第二开口内以及介质层的表面形成栅极材料层；对所述栅极材料层和所述介质层进行第三平坦化处理，直至暴露出所述侧墙的顶部表面为止，形成所述栅极结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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