武汉华星光电半导体显示技术有限公司夏国奇获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210474317.3，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权显示面板是由夏国奇;金武谦设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板，显示面板包括衬底、第一电极、发光层和第二电极。其中，第一电极设置在衬底上。发光层设置在第一电极远离衬底的一面。发光层包括依次层叠设置在第一电极上的空穴注入子层、空穴传输子层、发光子层、电子传输子层以及电子注入子层。其中，发光子层的薄膜致密性参数大于或等于第一阈值，薄膜致密性参数由单位受力条件下薄膜产生的形变量决定。本申请的发明人发现，当发光子层的薄膜致密性参数大于或等于第一阈值时，薄膜致密性参数和显示面板的寿命正相关，薄膜致密性参数越大，薄膜致密度越高，显示面板的使用寿命越长。
本发明授权显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 衬底， 第一电极，设置在所述衬底上； 发光层，设置在所述第一电极远离所述衬底的一面，所述发光层包括依次层叠设置的空穴注入子层、空穴传输子层、发光子层、电子传输子层、以及电子注入子层； 第二电极，设置在所述发光层远离所述衬底的一面； 其中，所述发光子层的薄膜致密性参数大于或等于第一阈值，所述薄膜致密性参数由单位受力条件下薄膜产生的形变量决定； 所述薄膜致密性参数由所述薄膜的厚度方向上，所述单位受力条件下，所述薄膜的受力部分产生的厚度形变量决定，所述薄膜致密性参数由如下公式计算得到：X=ΔFΔH，其中，ΔF为薄膜的厚度方向上的不同作用力的差值；ΔH为薄膜的受力部分在不同作用力下的厚度差值；所述第一阈值为-1.7，且所述发光子层的所述薄膜致密性参数小于0；所述空穴传输子层和所述发光子层的最高占据轨道的能级差小于或等于0.2eV，所述电子传输子层和所述发光子层的最低空轨道的能级差小于等于0.2eV。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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