格芯(美国)集成电路科技有限公司S·P·阿杜苏米利获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有连续U形多晶硅电阻器元件的多晶硅电阻器及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210159306.6，技术领域涉及：H10W44/00；该发明授权具有连续U形多晶硅电阻器元件的多晶硅电阻器及相关方法是由S·P·阿杜苏米利;S·M·尚克;Y·T·尼古;M·H·余设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有连续U形多晶硅电阻器元件的多晶硅电阻器及相关方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有连续U形多晶硅电阻器元件的多晶硅电阻器及相关方法。一种电阻器包括位于半导体衬底中的至少一个多晶硅电阻器元件，每个多晶硅电阻器元件具有连续U形，该连续U形具有连续横向底部。电阻器可以包括位于每个多晶硅电阻器元件的连续U形的谷内的绝缘体。多个多晶硅电阻器元件可以被顺序地互连以形成蛇形多晶硅电阻器。电阻器还可以包括位于其下方的含掺杂剂高电阻率HR多晶层，以提供与例如基础半导体衬底的电隔离和到基础半导体衬底的更好的热传导。电阻器可以用在SOI衬底中。还公开了相关方法。
本发明授权具有连续U形多晶硅电阻器元件的多晶硅电阻器及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻器，包括： 位于半导体衬底中的至少一个多晶硅电阻器元件，每个多晶硅电阻器元件具有连续U形，所述连续U形具有连续横向底部； 位于每个多晶硅电阻器元件的所述连续U形的谷内的绝缘体； 位于所述半导体衬底中的每个多晶硅电阻器元件下方的含掺杂剂高电阻率HR多晶层；以及 位于所述含掺杂剂高电阻率HR多晶层上方的绝缘体层，其中每个多晶硅电阻器元件延伸穿过所述绝缘体层并延伸到所述含掺杂剂高电阻率HR多晶层中。
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