应用微电子和光电子有限责任公司-AMO有限责任公司D·沙尔获国家专利权
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龙图腾网获悉应用微电子和光电子有限责任公司-AMO有限责任公司申请的专利半导体装置和半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080095177.8，技术领域涉及：G02B6/132；该发明授权半导体装置和半导体器件及其制造方法是由D·沙尔设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体装置，其包括具有优选单片半导体衬底，特别是硅衬底2的晶圆1，以及在半导体衬底2内和或上延伸的至少一个集成电子部件3，其中，所述晶圆1包括具有集成电子部件3或至少一个集成电子部件的前段制程5，以及包括位于前段制程5上方的后段制程6和光子平台8，所述光子平台8在背离前段制程5的晶圆1的侧面9制造，平台包括至少一个波导12和至少一个电光器件15，特别是至少一个光电探测器和或至少一个电光调制器，其中所述光子平台8的电光器件15或至少一个电光器件连接至晶圆1的集成电子部件3或至少一个集成电子部件。
本发明授权半导体装置和半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括具有半导体衬底2的晶圆1，和在半导体衬底2中和或半导体衬底2上延伸的至少一个集成电子部件3，所述晶圆1具有前段制程5和位于前段制程5上方的后段制程6，所述前段制程5包括集成电子部件或包括集成电子部件3中的至少一个，以及在背离前段制程5的晶圆1的侧面9制造的光子平台8，所述光子平台8包括至少一个波导12和至少一个电光器件15，其中所述光子平台8的电光器件15或电光器件15中的至少一个连接至晶圆1的集成电子部件3或集成电子部件3中的至少一个，其中所述光子平台8包括由介电材料组成的平坦化涂层10和至少一个另外的平坦化涂层13， 其特征在于，所述平坦化涂层10在其背离晶圆1的侧面11具有小于2.0nmRMS的粗糙度，和或另外的平坦化涂层13或另外的平坦化涂层13中的至少一个在其背离晶圆1的侧面14具有小于2.0nmRMS的粗糙度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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