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龙图腾网获悉全中半导体(深圳)有限公司申请的专利存储器芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210885031.4，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储器芯片和电子设备是由王敏生;阮健军设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种存储器芯片和电子设备，可以根据阻值状态存储数据。存储器芯片包括至少一个子存储电路，各个子存储电路均包括一P型MOS管、一N型MOS管、一第一忆阻器以及一第二忆阻器，控制电路用于在分别控制通过第一忆阻器和第二忆阻器的电流方向为正端流向负端时，第一忆阻器和第二忆阻器的电阻值增大，增大至大于预设上升阻值时达到最大值，控制通过第一忆阻器和第二忆阻器的电流方向为负端流向正端时，第一忆阻器和第二忆阻器的电阻值减小，减小至小于预设下降阻值时达到最小值；各个子存储电路分别在第一忆阻器和第二忆阻器在保持为最大值和最小值时存储数据。

本发明授权存储器芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器芯片，其特征在于，包括至少一个子存储电路，各个子存储电路均包括一P型MOS管、一N型MOS管、一第一忆阻器以及一第二忆阻器，所述第一忆阻器和第二忆阻器均包括正端和负端，所述P型MOS管和所述N型MOS管均包括第一端、第二端以及控制端，所述P型MOS管的第一端和所述N型MOS管的第一端相连，且相连处作为对应子存储电路的第一端接入第一输入信号，所述P型MOS管的第二端与第一忆阻器的正端连接，所述N型MOS管的第二端与第二忆阻器的负端连接，所述P型MOS管和所述N型MOS管的控制端分别接入控制信号，所述第一忆阻器的负端和第二忆阻器的负端连接在一起作为对应子存储电路的第二端接入第二输入信号； 所述存储器芯片还包括控制电路，与各个子存储电路的第一端、第二端连接，还与各个子存储电路中的P型MOS管的控制端、N型MOS管的控制端连接，用于根据待存储的数据生成相应的第一输入信号、第二输入信号、控制信号加载到各个子存储电路的第一端、第二端、各个子存储电路中的P型MOS管的控制端以及N型MOS管的控制端，使得存储器芯片存储所述待存储的数据； 所述控制电路用于在分别控制通过第一忆阻器和第二忆阻器的电流方向为正端流向负端时，使所述第一忆阻器和第二忆阻器的电阻值增大，增大至大于预设上升阻值时达到最大值，所述控制电路则分别关断P型MOS管和N型MOS管，使电阻值保持为最大值，所述控制电路用于在分别控制通过第一忆阻器和第二忆阻器的电流方向为负端流向正端时，使所述第一忆阻器和第二忆阻器的电阻值减小，减小至小于预设下降阻值时达到最小值，所述控制电路则分别关断P型MOS管和N型MOS管，使电阻值保持为最小值； 各个所述子存储电路分别在所述第一忆阻器和第二忆阻器在保持为最大值和最小值时存储数据。

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