铠侠股份有限公司中野威获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776660.9，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权半导体存储装置是由中野威;柴崎谦;片冈秀之;佐藤淳一;伊达浩己设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的一实施方式的半导体存储装置不论平面数多少，都能将编程电压均一化，由此缩短写入时间。一实施方式的半导体存储装置具备：多个平面，包含由多个存储单元、字线、及位线构成的存储单元阵列；电压产生电路，在编程期间对写入对象的选择字线供给编程电压，同时对与所述选择字线相邻的相邻字线，在所述编程期间的前半段施加第1中间电压后，在后半段施加高于所述第1中间电压的第2中间电压；放电电路，设置在所述电压产生电路与所述选择字线之间的路径上，在与对所述相邻字线施加所述第2中间电压的期间对应的期间，从所述选择字线流动放电电流；及控制电路，根据从所述电压产生电路同时供给所述编程电压的所述平面数，设定所述放电电路的放电特性。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其具备：多个平面，包含存储单元阵列，所述存储单元阵列由多个存储单元、连接在所述多个存储单元的栅极的字线、及经由分别连接在所述多个存储单元的一端的选择栅极晶体管，电连接在所述多个存储单元的一端的位线构成； 电压产生电路，能产生供给到所述多个平面各自包含的所述存储单元阵列中的1个以上所述存储单元阵列的电压，且在编程期间对写入对象的选择字线供给编程电压，同时对与所述选择字线相邻的相邻字线，在所述编程期间的前半段施加第1中间电压后，在后半段施加高于所述第1中间电压的第2中间电压； 放电电路，设置在所述电压产生电路与所述选择字线之间的路径上，在与对所述相邻字线施加所述第2中间电压的期间对应的期间，从所述选择字线流动放电电流；及 控制电路，根据从所述电压产生电路同时供给所述编程电压的所述平面的数量，设定所述放电电路的放电特性。
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