京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司尚建兴获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利探测基板、其制作方法及平板探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110285418.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权探测基板、其制作方法及平板探测器是由尚建兴;姜振武;王振宇设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本探测基板、其制作方法及平板探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种探测基板、其制作方法及平板探测器，属于光电检测技术领域，其可至少部分解决现有的探测基板中晶体管的稳定性较差的问题。本发明的一种探测基板，包括：衬底基板，沿背离衬底基板方向依次设置的晶体管，读取电极和光电转换结构；所述探测基板还包括：位于所述晶体管所在层与所述读取电极所在层之间的氧化物层；其中，所述氧化物层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述晶体管在所述衬底基板上的正投影；所述读取电极与所述晶体管电连接，且连接位置在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影无交叠。
本发明授权探测基板、其制作方法及平板探测器在权利要求书中公布了：1.一种探测基板，包括：衬底基板，沿背离所述衬底基板方向依次设置的晶体管，读取电极和光电转换结构；其特征在于，所述探测基板还包括：位于所述晶体管所在层与所述读取电极所在层之间的氧化物层；其中， 所述氧化物层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述晶体管在所述衬底基板上的正投影； 所述读取电极与所述晶体管电连接，且连接位置在所述衬底基板上的正投影与所述晶体管在所述衬底基板上的正投影无交叠； 所述探测基板还包括：设置在所述晶体管所在层与所述氧化物层之间，沿远离衬底基板方向依次设置的第一绝缘层和电连接层； 所述第一绝缘层上设置有第一过孔，所述电连接层通过所述第一过孔与所述晶体管的第一电极连接； 所述氧化物层在所述衬底基板上的正投影所在区域覆盖所述读取电极在所述衬底基板上的正投影； 所述氧化物层具有第二过孔，所述读取电极通过所述第二过孔与所述电连接层连接。
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