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龙图腾网获悉苏州华星光电技术有限公司申请的专利显示装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210975431.4，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示装置及电子设备是由龙志娟设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示装置及电子设备，属于显示技术领域，该显示装置包括多条扫描线和多个像素，通过在第一方向上构造第一扫描线、第二扫描线于一像素行的两侧，可以避免第一扫描线和或第二扫描线与该像素行在显示装置的厚度方向上重叠，进而能够保持同一行中两个相邻像素的次像素电极的电压相同。

本发明授权显示装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，其特征在于，包括： 多条扫描线，所述多条扫描线包括至少一组扫描线，每组扫描线包括沿第一方向依次排列的第一扫描线、第二扫描线；和 多个像素，所述多个像素包括至少一个像素行，每个像素行包括至少一个像素组，每个像素组包括沿第二方向依次排列的第一像素、第二像素； 其中，一像素行在所述第一方向上位于所述第一扫描线与所述第二扫描线之间，所述第一扫描线与所述像素行中每个像素组的第一像素电性连接，所述第二扫描线与所述像素行中每个像素组的第二像素电性连接； 其中，所述第一像素包括第一主薄膜晶体管、第一次薄膜晶体管、第一共享薄膜晶体管、第一主像素电极、第一次像素电极以及第一连接线，所述第一主薄膜晶体管的源极漏极中的一个与所述第一主像素电极连接，所述第一次像素电极与所述第一次薄膜晶体管的源极漏极中的一个、以及所述第一共享薄膜晶体管的源极漏极中的一个连接； 所述第一主像素电极、所述第一次像素电极依次沿所述第一方向排布，所述第一主薄膜晶体管在所述第一方向上位于所述第一扫描线与所述第一次像素电极之间，所述第一次薄膜晶体管、所述第一共享薄膜晶体管在所述第一方向上位于所述第一主像素电极与所述第二扫描线之间； 所述第一主薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线直接连接；所述第一扫描线通过所述第一连接线与所述第一次薄膜晶体管的栅极、所述第一共享薄膜晶体管的栅极连接，且所述第一连接线围绕所述第一主像素电极。

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