武汉华星光电技术有限公司杨从星获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制造方法、显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115188828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210879512.4,技术领域涉及:H10D30/67;该发明授权薄膜晶体管及其制造方法、显示面板是由杨从星;田超;艾飞设计研发完成,并于2022-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制造方法、显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板,薄膜晶体管包括:保温层,保温层包括凹槽;结晶有源图案,结晶有源图案的至少部分位于凹槽中;源漏电极,包括间隔设置的源极和漏极,源极和漏极均与结晶有源图案连接;栅极,对应结晶有源图案设置。
本发明授权薄膜晶体管及其制造方法、显示面板在权利要求书中公布了:1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括: 保温层,位于基板上,且设置有凹槽; 结晶有源图案,所述结晶有源图案的至少部分位于所述凹槽中; 栅极绝缘层,位于所述凹槽中,且覆盖所述结晶有源图案的表面以及所述基板的表面,所述栅极绝缘层与所述凹槽的侧壁间隔; 源漏电极,位于所述栅极绝缘层上,包括间隔设置的源极和漏极,所述源极和所述漏极均通过所述栅极绝缘层中的过孔与所述结晶有源图案连接; 栅极,对应所述结晶有源图案设置。
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