联嘉光电股份有限公司陈復邦获国家专利权
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龙图腾网获悉联嘉光电股份有限公司申请的专利一种垂直式发光二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110359542.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种垂直式发光二极管结构是由陈復邦;颜伟昱;蔡增光;张智松;黄国欣设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直式发光二极管结构在说明书摘要公布了：本发明为一种垂直式发光二极管结构，其包含一发光二极管元件、一侧壁绝缘层、一焊接电极与一金属保护层，其主要是让该金属保护层电性连接该焊接电极，且该金属保护层隔着该侧壁绝缘层披覆保护该发光二极管元件的一晶粒侧边缘与一载板侧边缘；据此，透过该金属保护层的披覆保护，可以解决该发光二极管元件在电镀或化镀制程与其他环境严苛制程中，潜在侧壁绝缘层Passivation的失效问题，且该金属保护层可以提供测试接点，利用检测该发光二极管元件的顺向偏压Vf、逆向漏电流Ir而评估该侧壁绝缘层的品质。
本发明授权一种垂直式发光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种垂直式发光二极管结构，其特征在于，包含： 一发光二极管元件，该发光二极管元件包含一导电载板与一形成于该导电载板上的发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒具有一晶粒上边缘与一连接该晶粒上边缘且围绕该发光二极管晶粒的晶粒侧边缘，该导电载板具有一连接该晶粒侧边缘的载板侧边缘与一连接该载板侧边缘且该载板上边缘上方无该发光二极管晶粒的载板上边缘； 一侧壁绝缘层，该侧壁绝缘层覆盖于该晶粒上边缘、该晶粒侧边缘与该载板侧边缘，且该侧壁绝缘层于该晶粒上边缘处具有一第一电极裸露区，该第一电极裸露区裸露该发光二极管晶粒； 一焊接电极，该焊接电极穿过该第一电极裸露区而电性连接该发光二极管晶粒；以及 一金属保护层，该金属保护层电性连接该焊接电极，且该金属保护层隔着该侧壁绝缘层披覆保护该晶粒侧边缘与该载板侧边缘，并该导电载板与该发光二极管晶粒为矩形体而让该晶粒侧边缘与该载板侧边缘分别具有四个晶粒侧边面与四个载板边面，而该金属保护层披覆保护该四个晶粒侧边面与该四个载板边面。
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