北京北方华创微电子装备有限公司郑健飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种进气结构、上电极组件及半导体处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274392B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210844760.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种进气结构、上电极组件及半导体处理设备是由郑健飞;邓雅天设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种进气结构、上电极组件及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种进气结构、上电极组件及半导体处理设备，进气结构包括底板和设置于底板上的顶板；顶板的底面设置有至少一个凹槽，凹槽中设置有多个间隔设置的柱状凸起，多个柱状凸起的端面与底板的顶面连接，凹槽中还设置有贯穿顶板的第二通孔，第二通孔位于柱状凸起之间的间隙处；底板上设置多个第三通孔，第三通孔用于将凹槽与工艺腔室连通。本申请中，柱状凸起可以减少气体的流动空间，并且构成扩散通道，使气体在各个凹槽中快速均匀化，从而可以提高刻蚀的均匀性，并且柱状凸起还可以增加从顶板到底板的热传导面积以及射频接触传导接触面积，提高热传导效率、射频传输效率，改善电场均匀性。
本发明授权一种进气结构、上电极组件及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种进气结构，应用于半导体处理设备的工艺腔室，其特征在于，所述进气结构包括底板和设置于所述底板上的顶板； 所述顶板的底面设置有至少一个凹槽，所述凹槽中设置有多个间隔设置的柱状凸起，多个所述柱状凸起的端面与所述底板的顶面连接，所述凹槽中还设置有贯穿所述顶板的第二通孔，所述第二通孔位于所述柱状凸起之间的间隙处； 所述底板上设置多个第三通孔，所述第三通孔用于将所述凹槽与所述工艺腔室连通。
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