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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利双向SCR器件及双向SCR器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210896954.X，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权双向SCR器件及双向SCR器件制造方法是由詹祖日设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向SCR器件及双向SCR器件制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种双向SCR器件及双向SCR器件制造方法，应用于半导体保护器件技术领域，包括：N+衬底，在N+衬底内设有第一P型掩埋层；N型外延层，在N型外延层内设有第二P型掩埋层和第三P型掩埋层，N型外延层的上表面设有N型掩埋层；P型外延层，P型外延层内设有四个深N区以及两个P阱，每个深N区内设有一个N型重掺杂区，每个P阱内设有一个P型重掺杂区；两个P型重掺杂区和两个N型重掺杂区与第一输入输出端和第二输入输出端连接。本申请的SCR器件的结构具有非常对称的保护特性，从第一输入输出端到第二输入输出端或者相反，经过相同的PNPN结构，两个方向的基区宽度相等，能力均衡，导通电阻相同，提高了在电路应用中的灵活性。

本发明授权双向SCR器件及双向SCR器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双向SCR器件，其特征在于，包括： N+衬底，在所述N+衬底内设有第一P型掩埋层； N型外延层，在所述N型外延层内设有第二P型掩埋层和第三P型掩埋层，所述N型外延层的上表面设有N型掩埋层，所述第二P型掩埋层位于所述第一P型掩埋层的上方，且与所述第一P型掩埋层不接触； P型外延层，所述P型外延层内设有四个深N区以及两个P阱，每个所述深N区内设有一个N型重掺杂区，每个所述P阱内设有一个P型重掺杂区，两个所述P型重掺杂区之间设置有一个所述N型重掺杂区，两个所述P阱分别与所述第二P型掩埋层和所述第三P型掩埋层对应设置，所述N+衬底、所述N型外延层、所述N型掩埋层和所述P型外延层在垂直方向由下至上依次连接； 三个第一隔离槽，沿与所述N+衬底的垂直方向设置，所述第一P型掩埋层的两端分别设置一个所述第一隔离槽，所述第三P型掩埋层远离所述第一P型掩埋层的一端设置有一个所述第一隔离槽； 两个第二隔离槽，沿与所述N+衬底的垂直方向设置，所述第二P型掩埋层的两端分别设置有一个所述第二隔离槽，两个所述第一隔离槽设置在所述第一P型掩埋层的两端的所述第一隔离槽之间； 两个所述P型重掺杂区分别与第一输入输出端和第二输入输出端连接，两个所述N型重掺杂区分别与第一输入输出端和第二输入输出端连接。

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