长江存储科技有限责任公司甘程获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211047173.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由甘程;刘威;陈顺福;陈亮设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该器件包括第一、第二电压走线及多条虚设走线，其中，第一电压走线作为高压走线，第二电压走线作为低压走线，第一、第二电压走线位于同一直线上，多条虚设走线分布于第一、第二电压走线的两侧，且任意一条与第一、第二电压走线相邻的虚设走线仅与第一、第二电压走线其中之一在第二方向上有相对部分，或与第一、第二电压走线在第二方向上均没有相对部分。本发明通过改进走线的布局，使得紧邻高压、低压走线的虚设走线不同时面对高压、低压走线，从而可以在不增加走线间距的情况下有效提高高压低压走线与虚设走线之间的线对线击穿电压，不仅可以有效控制芯片面积，且不会影响原本的高压、低压走线。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一电压走线，所述第一电压走线沿第一方向延伸； 第二电压走线，与所述第一电压走线位于同一直线上，且所述第二电压走线的电压低于所述第一电压走线的电压； 多条虚设走线，分布于所述第一电压走线与所述第二电压走线的两侧并沿所述第一方向延伸，其中，任意一条与所述第一电压走线或所述第二电压走线相邻的所述虚设走线满足所述虚设走线仅与所述第一电压走线及所述第二电压走线其中之一在第二方向上有相对部分，所述第二方向与所述第一方向垂直； 其中，所述半导体器件中设有页面缓冲高压NMOS晶体管，所述晶体管的漏极通过第一接触部连接于所述第一电压走线下方，所述晶体管的源极通过第二接触部连接于所述第二电压走线下方； 所述半导体器件还包括至少一中心虚设走线，所述中心虚设走线与所述第一电压走线及所述第二电压走线位于同一直线上，并位于所述第一电压走线与所述第二电压走线之间。
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