买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210982131.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示面板是由李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板。包括第一有源层、栅极、栅极绝缘层、第二有源层以及源漏金属层，且第一有源层通过该导体层与第二有源层并联。通过两层并联的有源层结构，有效提高器件的开态电流和载流子迁移率，并提高器件的综合性能。

本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 第一有源层，设置于所述衬底之上，所述第一有源层包括第一沟道区以及设置在所述第一沟道区两侧的第一掺杂区； 栅极，设置于所述第一有源层之上； 栅极绝缘层，设置于所述第一有源层之上，并覆盖所述栅极； 第二有源层，设置于所述栅极绝缘层之上，所述第二有源层包括第二沟道区以及设置在所述第二沟道区两侧的第二掺杂区；以及， 源漏金属层，设置于所述第二有源层之上，包括源极和漏极； 其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区对应设置，所述源漏金属层与所述第二掺杂区电性连接，且所述第一掺杂区内的所述第一有源层，对应的与所述第二掺杂区内的所述第二有源层电性连接； 其中，所述第一有源层、对应的所述栅极、对应的所述栅极绝缘层、对应的所述第二有源层和对应的所述源漏金属层形成对应的一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管内的所述第一有源层和所述第二有源层并联设置； 其中，所述阵列基板还包括第一过孔与第二过孔，所述第一过孔与第二过孔设置在所述第一掺杂区的上方，且所述第一过孔与第二过孔贯穿所述栅极绝缘层、所述第二有源层，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区电性连接； 其中，所述第一过孔和所述第二过孔通过贯穿所述第二有源层将对应的所述第二掺杂区分成位于所述第一过孔或所述第二过孔两侧的第一部分和第二部分，所述第一部分的掺杂浓度和所述第二部分的掺杂浓度不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。