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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211515769.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置是由王利忠;黄睿;周天民;童彬彬;杨维;张劲潮;宁策设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，薄膜晶体管包括：设置在衬底上的栅极、有源层和源极，所述栅极设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括：第一导电部、第二导电部以及位于二者之间的沟道部；所述源极包括：朝向所述衬底的第一表面、背离所述衬底的第二表面以及连接在二者之间并朝向所述沟道部的第一侧面；缓冲层，设置在所述源极远离所述衬底的一侧，所述缓冲层上设置有容纳孔，所述容纳孔暴露出所述第一侧面的至少一部分；其中，所述沟道部的至少一部分位于所述所述容纳孔的侧壁上，所述第一导电部与所述第一侧面接触；栅绝缘层，设置在所述有源层所在层与所述栅极所在层之间。

本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 设置在衬底上的栅极、有源层和源极，所述栅极设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括：第一导电部、第二导电部以及位于二者之间的沟道部；所述源极包括：朝向所述衬底的第一表面、背离所述衬底的第二表面以及连接在二者之间并朝向所述沟道部的第一侧面；所述源极在所述衬底上的正投影与所述第二导电部在所述衬底上的正投影无交叠； 缓冲层，设置在所述源极远离所述衬底的一侧，所述缓冲层上设置有容纳孔，所述容纳孔暴露出所述第一侧面的至少一部分；其中，所述沟道部的至少一部分位于所述容纳孔的侧壁上，所述第一导电部与所述第一侧面接触； 栅绝缘层，设置在所述有源层所在层与所述栅极所在层之间； 所述缓冲层包括第一缓冲部，所述第一缓冲部在所述衬底上的正投影与所述源极在所述衬底上的正投影交叠，所述第一缓冲部具有朝向所述容纳孔的第二侧面；所述第一导电部还覆盖所述第二侧面的至少一部分。

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