买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉昂赛微电子(上海)有限公司申请的专利基准电流温度补偿电路及基准电流温度补偿控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115963889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210799865.3，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权基准电流温度补偿电路及基准电流温度补偿控制方法是由相琛;杨城设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基准电流温度补偿电路及基准电流温度补偿控制方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种基准电流温度补偿电路及基准电流温度补偿控制方法，所述基准电流温度补偿电路包括：PTAT电流生成电路、温度补偿模块及CTAT电流输出模块；PTAT电流生成电路用以生成PTAT电流；温度补偿模块用以生成温度系数电流；CTAT电流输出模块用以通过电流镜镜像输出至设定输出端。本发明提出的基准电流温度补偿电路及基准电流温度补偿控制方法，可以在不影响带隙基准电路中基准电压的同时利用少数器件完成电流的温度补偿得到零温度系数的基准电流，或者直接利用PTAT电流生成零温度系数的基准电流，节省了占用芯片的面积，一定程度上降低了生产成本。此外，该电流还具有较高的稳定性，受电源电压的影响较小，能够很好适应市场所需。

本发明授权基准电流温度补偿电路及基准电流温度补偿控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基准电流温度补偿电路，其特征在于，所述基准电流温度补偿电路包括： PTAT电流生成电路，用以生成PTAT电流； 温度补偿模块，连接所述PTAT电流生成电路，用以根据所述PTAT电流生成电路生成的PTAT电流生成温度系数电流；以及 CTAT电流输出模块，连接所述温度补偿模块，用以通过电流镜镜像将所述温度补偿模块生成的温度系数电流输出至设定输出端； 所述温度补偿模块包括： 正温度系数电流生成电路，用以生成正温度系数电流；以及 负温度系数电流生成电路，用以生成负温度系数电流； 所述温度补偿模块包括：第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第一电阻R1； 所述第一N型MOS管NM1的栅极分别连接所述PTAT电流生成电路、第一三极管Q1的集电极、第二N型MOS管NM2的栅极； 所述第一N型MOS管NM1的漏极分别连接CTAT电流输出模块、第二N型MOS管NM2的漏极； 所述第一N型MOS管NM1的源极分别连接第一三极管Q1的基极、第二三极管Q2的基极、第一电阻R1的第一端； 所述第二N型MOS管NM2的源极连接第二三极管Q2的集电极；所述第一三极管Q1的发射极、第一电阻R1的第二端、第二三极管Q2的发射极分别接地； 所述CTAT电流输出模块包括低压共源共栅电流镜，所述低压共源共栅电流镜用以复制基准电流并输出； 所述低压共源共栅电流镜包括第五P型MOS管PM5、第六P型MOS管PM6、第七P型MOS管PM7、第八P型MOS管PM8及第二电阻R2； 电源电压VCC分别连接第五P型MOS管PM5的源极、第六P型MOS管PM6的源极，所述第五P型MOS管PM5的漏极连接第七P型MOS管PM7的源极，第六P型MOS管PM6的漏极连接第八P型MOS管PM8的源极； 所述第五P型MOS管PM5的栅极连接第六P型MOS管PM6的栅极、第七P型MOS管PM7的漏极、第二电阻R2的第一端； 所述第七P型MOS管PM7的栅极连接第八P型MOS管PM8的栅极、第二电阻R2的第二端及温度补偿模块；第八P型MOS管PM8的漏极连接输出端口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昂赛微电子(上海)有限公司，其通讯地址为：201315 上海市浦东新区秀浦路2555号18幢6层A单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。