长鑫存储技术有限公司张文浩获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利芯片良率分析方法及装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310201618.3，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权芯片良率分析方法及装置、电子设备和存储介质是由张文浩设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片良率分析方法及装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开是关于一种芯片良率分析方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产与制造技术领域。该方法包括：获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，并获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息；基于失效图形信息与缺陷制程信息，对失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型；对失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形；确定匹配失效图形对应的待分析失效数据对，基于待分析失效数据对进行良率损失计算，得到各缺陷制程对应的良率损失比例。本公开可以预测每种制程缺陷增加将对良率造成良率损失的比例，并快速找出较大良率损失的缺陷制程。
本发明授权芯片良率分析方法及装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片良率分析方法，其特征在于，包括： 获取基于芯片测试得到的失效芯片信息，并获取预先存储的失效图形信息以及缺陷制程信息； 基于所述失效图形信息与所述缺陷制程信息，对所述失效芯片信息进行数据筛选处理，得到失效芯片对应的失效图形类型； 对所述失效图形类型中的失效图形位置与制程缺陷位置进行位置匹配处理，得到位置匹配的匹配失效图形； 确定所述匹配失效图形对应的待分析失效数据对，基于所述待分析失效数据对进行良率损失计算，得到各缺陷制程对应的良率损失比例。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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