深圳市拓锋半导体科技有限公司林松获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市拓锋半导体科技有限公司申请的专利一种MOS管用固定结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223829514U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520079135.5,技术领域涉及:H05K1/18;该实用新型一种MOS管用固定结构是由林松;林榕;陈金松;王佳琳;周国平;卢帅卫设计研发完成,并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS管用固定结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种MOS管用固定结构,涉及MOS管固定技术领域。包括开设有定位孔的MOS管本体、定位MOS管本体的定位台,定位台的中心固定连接有分隔块,定位台的顶部位于分隔块的两侧均设有定位柱,MOS管本体置于定位台顶部位于分隔块的一侧,定位柱插入到定位孔内,定位台的一侧固定连接有挡条,分隔块远离挡条的一侧两端均设有弹力限位臂,弹力限位臂配合挡条将MOS管本体限位。该MOS管用固定结构,在确保连接稳固的同时,减少了紧固件的使用,优化了压紧方式和安装方式,能够同时固定两个MOS管,使得安装起来更加简便,提高MOS管的安装效率,并方便MOS管的安装和拆卸。
本实用新型一种MOS管用固定结构在权利要求书中公布了:1.一种MOS管用固定结构,包括开设有定位孔4的MOS管本体1、定位MOS管本体1的定位台2,其特征在于:所述定位台2的中心固定连接有分隔块3,所述定位台2的顶部位于分隔块3的两侧均设有定位柱5,所述MOS管本体1置于定位台2顶部位于分隔块3的一侧,所述定位柱5插入到定位孔4内,所述定位台2的一侧固定连接有挡条7,所述分隔块3远离挡条7的一侧两端均设有弹力限位臂8,所述弹力限位臂8配合挡条7将MOS管本体1限位。
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