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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829697U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520191326.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤;张长沙设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：第一漂移层连接至碳化硅衬底；第一低阻区连接至第一漂移层，第二低阻区连接至第一漂移层；第一P型源区连接至第二低阻区，P型阱区连接至凸起部，第二P型源区连接至第一低阻区、凸起部及P型阱区；第二漂移层连接第二低阻区，第二漂移层分别连接凸起部、P型阱区以及第一P型源区；绝缘介质层分别连接第一P型源区及第二漂移层、P型阱区、N型源区以及突起部；绝缘介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接第一P型源区、P型阱区、N型源区以及第二P型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底；提高体二极管续流能力，降低体二极管损耗。

本实用新型一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底； 第一漂移层，所述第一漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 第一低阻区，所述第一低阻区下侧面连接至所述第一漂移层上侧面，所述第一低阻区设有凸起部； 第二低阻区，所述第二低阻区下侧面连接至所述第一漂移层上侧面； 第一P型源区，所述第一P型源区下侧面连接至所述第二低阻区，所述第一P型源区上设有突起部； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述凸起部上侧面，所述P型阱区内设有N型源区； 第二P型源区，所述第二P型源区下侧面连接至所述第一低阻区，所述第二P型源区内侧面分别连接所述凸起部外侧面以及P型阱区外侧面； 第二漂移层，所述第二漂移层下侧面连接至所述第二低阻区，所述第二漂移层外侧面分别连接所述凸起部内侧面、P型阱区内侧面以及所述第一P型源区内侧面； 绝缘介质层，所述绝缘介质层下侧面分别连接所述第一P型源区上侧面以及第二漂移层上侧面，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区、N型源区以及突起部；所述绝缘介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述第一P型源区、P型阱区、N型源区以及第二P型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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