思特威(上海)电子科技股份有限公司王文轩获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器、电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829712U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423149780.4，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型图像传感器、电子设备是由王文轩;戚德奎;谭炳辉设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器、电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种图像传感器、电子设备，图像传感器包括：提供半导体基底，在第二面形成第一沟槽、第一填充层，在第一填充层种形成第二沟槽，并制备包括第一结构层和第二结构层的第二填充层。基于本设计，先形成第一沟槽和第一填充层，在第一填充层中制备第二沟槽，基于第二沟槽形成具有第一结构层和第二结构层的第二填充层，可以基于第二填充层形成信号匹配性调制结构和串扰改善结构，可以基于第二填充层的设计，在改善串扰的同时优化像素阵列中不同像素之间的匹配性差异的问题，提高成像质量。
本实用新型图像传感器、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括： 半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一面和第二面； 第一沟槽，自所述半导体基底的第二面延伸至所述半导体基底中； 第一填充层，至少填充于所述第一沟槽内； 第二沟槽，位于所述第一填充层中，且所述第二沟槽自所述半导体基底的第二面延伸至对应的所述第一沟槽中； 第二填充层，至少位于所述第二沟槽中，其中： 所述第二填充层包括第一结构层和第二结构层，所述第一结构层填充所述第二沟槽并覆盖所述第二沟槽显露的所述第一填充层表面以形成信号匹配性调制结构，所述第二结构层位于所述半导体基底第二面上以形成串扰改善结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人思特威(上海)电子科技股份有限公司，其通讯地址为：200120 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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