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龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种LED芯片及发光设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829720U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423053522.6，技术领域涉及：H10H20/819；该实用新型一种LED芯片及发光设备是由王月;齐程东;杨天志;崔晓慧;霍丽艳设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及发光设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种LED芯片及发光设备，涉及LED技术领域。该LED芯片的结构参数包括所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离、所述Mesa台阶结构的高度、所述N电极的高度以及所述N电极面向所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度。相比较现有技术而言，本申请技术方案并不涉及额外的工艺步骤，根据LED芯片的结构仅仅只需优化LED芯片的结构参数中的至少一个结构参数，即可减少N电极与Mesa台阶结构之间的光反射次数，降低N电极对光的损耗，实现实施方案简单且可以提高LED芯片发光效率的目的。

本实用新型一种LED芯片及发光设备在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的外延片，所述外延片包括在所述衬底上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层； 所述外延片具有凹槽，所述凹槽暴露出所述N型半导体层的部分表面，以在所述外延片上形成Mesa台阶结构； 位于所述凹槽内的N电极； 其中，所述LED芯片的结构参数包括所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离、所述Mesa台阶结构的高度、所述N电极的高度以及所述N电极面向所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度； 所述LED芯片的结构参数中的至少一个被优化，减少所述N电极与所述Mesa台阶结构之间的光反射次数； 所述LED芯片的结构参数中的至少一个依据所述LED芯片的性能参数优化得到；所述LED芯片的结构参数中所述Mesa台阶结构的高度被优化时，所述Mesa台阶结构的高度范围为11000埃-13000埃； 所述LED芯片的性能参数为电流密度； 所述LED芯片的结构参数中所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离被优化，且当所述电流密度小于0.1mAmil2时，所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离范围为9μm-15μm； 或，所述LED芯片的结构参数中所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离被优化，且当所述电流密度大于或等于0.1mAmil2，且小于或等于0.2mAmil2时，所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离范围为6μm-12μm； 或，所述LED芯片的结构参数中所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离被优化，且当所述电流密度大于0.2mAmil2时，所述N电极的底部与所述Mesa台阶结构侧壁之间的距离范围为3μm-9μm； 或，所述LED芯片的结构参数中所述N电极的高度被优化，且当所述电流密度小于0.2mAmil2时，所述N电极的高度范围为16000埃-20000埃； 或，所述LED芯片的结构参数中所述N电极面向所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度被优化，且当所述电流密度小于0.2mAmil2时，所述N电极面向所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度范围为50°-70°； 或，所述LED芯片的结构参数中所述N电极的高度被优化，且当所述电流密度大于或等于0.2mAmil2时，所述N电极的高度范围为25000埃-30000埃； 或，所述LED芯片的结构参数中所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度被优化，且当所述电流密度大于或等于0.2mAmil2时，所述N电极面向所述Mesa台阶结构一侧的侧壁角度范围为70°-90°。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西乾照光电有限公司，其通讯地址为：330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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