武汉新芯集成电路股份有限公司潘志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利封装基板及晶粒封装体获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223829839U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423032788.2,技术领域涉及:H10W70/652;该实用新型封装基板及晶粒封装体是由潘志刚;石天福;吴之焱;曹雪萍;蔡炎;周舒庆;黄杰设计研发完成,并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装基板及晶粒封装体在说明书摘要公布了:本申请提供一种封装基板及晶粒封装体。该封装基板包括绝缘基板,具有相背的第一表面和第二表面;互连结构,设于所述绝缘基板内,并露出于所述绝缘基板的第一表面;且所述互连结构露出于所述绝缘基板的第一表面的部分被配置为与晶粒电连接;其中,所述绝缘基板的第一表面开设有至少一排气槽;至少一个所述排气槽延伸至所述绝缘基板的边缘,且所述排气槽沿所述绝缘基板的厚度方向包括至少一第一槽段;所述第一槽段相对所述绝缘基板的第一表面非垂直设置。该封装基板降低了封装材料通过排气槽溢流至晶粒封装体的外侧的风险。
本实用新型封装基板及晶粒封装体在权利要求书中公布了:1.一种封装基板,其特征在于,包括: 绝缘基板,具有相背的第一表面和第二表面; 互连结构,设于所述绝缘基板内,并露出于所述绝缘基板的第一表面;且所述互连结构露出于所述绝缘基板的第一表面的部分被配置为与晶粒电连接; 其中,所述绝缘基板的第一表面开设有至少一排气槽;至少一个所述排气槽延伸至所述绝缘基板的边缘,且所述排气槽沿所述绝缘基板的厚度方向包括至少一第一槽段;所述第一槽段相对所述绝缘基板的第一表面非垂直设置。
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