深圳市拓锋半导体科技有限公司林松获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市拓锋半导体科技有限公司申请的专利一种耐高温型的电源芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829841U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520196833.3，技术领域涉及：H10W70/698；该实用新型一种耐高温型的电源芯片是由林松;林榕;陈金松;王佳琳;周国平;卢帅卫设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐高温型的电源芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种耐高温型的电源芯片，涉及电源芯片技术领域。包括氧化铝陶瓷封装壳，氧化铝陶瓷封装壳的内底部嵌装有铜片，铜片上安装有引线框架，且引线框架上设有引脚，引线框架的中部安装有碳化硅基板，且碳化硅基板上安装有硅晶圆晶片。该耐高温型的电源芯片，核心区采用耐高温的碳化硅基板，将硅晶圆晶片锡焊于基板上，其具有高的热稳定性和优秀的导热性能，在芯片内设置有导热系数高的铜片和均热板，可优化芯片表面的散热结构，增大散热面积，有效地将热量导出，以降低芯片的工作温度，封装则采用具有高熔点、高热稳定性的氧化铝陶瓷封装壳，可提高芯片的耐高温性能，从而确保芯片在高温环境下的稳定运行。
本实用新型一种耐高温型的电源芯片在权利要求书中公布了：1.一种耐高温型的电源芯片，包括氧化铝陶瓷封装壳1，其特征在于：所述氧化铝陶瓷封装壳1的内底部嵌装有铜片2，所述铜片2上安装有引线框架3，且引线框架3上设有引脚4，所述引线框架3的中部安装有碳化硅基板5，且碳化硅基板5上安装有硅晶圆晶片6，所述氧化铝陶瓷封装壳1的顶部嵌装有均热板7，且均热板7的中部设有下凸台8，所述下凸台8的底面与硅晶圆晶片6的顶面相接触，所述氧化铝陶瓷封装壳1内填充有环氧树脂灌封胶9，且环氧树脂灌封胶9覆盖于硅晶圆晶片6上。
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