中晶新源(上海)半导体有限公司黄子宵获国家专利权
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龙图腾网获悉中晶新源(上海)半导体有限公司申请的专利一种半导体功率器件封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223829844U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520685538.4,技术领域涉及:H10W72/50;该实用新型一种半导体功率器件封装结构是由黄子宵;蒙洁;王永晟设计研发完成,并于2025-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体功率器件封装结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种半导体功率器件封装结构,包括基板、三个半桥支路和封装体;每个半桥支路包括两个串联的开关芯片,每个半桥支路通过基板跨接在相对的两边的焊盘之间;相电压端和信号端分别从另两边中的一边引出;且接地端和相电压端中的每一种电路功能端对应设置有两个相邻且在焊盘面短接的边缘焊盘。本实用新型采用6in1的合封形式提高了芯片的集成度,引脚和布线设置方式使各个不同半桥支路对应的MOS开关在封装结构内的等效Rdsondson均匀,另一方面使接地端和相电压端增大了焊盘面积并且进一步使等效Rdsondson均匀。
本实用新型一种半导体功率器件封装结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体功率器件封装结构,其特征在于,包括基板、三个半桥支路和封装体; 每个所述半桥支路包括两个串联的开关芯片; 所述开关芯片设置在基板上,所述封装体包覆基板和开关芯片; 所述半导体功率器件封装结构具有焊盘面,所述焊盘面具有依次相邻的第一边、第二边、第三边和第四边,所述第一边和第三边平行;所述第一边上设置有电源端边缘焊盘,所述第三边上设置有接地端边缘焊盘,所述半桥支路通过基板跨接在电源端边缘焊盘和接地端边缘焊盘之间; 所述第二边上设置有相电压端边缘焊盘;所述第四边上设置有信号焊盘;所述相电压端边缘焊盘和半桥支路的半桥中点电连接;所述信号焊盘和开关芯片的栅极电连接; 所述焊盘面上还设置有矩形焊盘,所述矩形焊盘包括一个电源端矩形焊盘和三个相电压端矩形焊盘;所述电源端边缘焊盘和电源端矩形焊盘在焊盘面连通;所述相电压端矩形焊盘阵列设置在电源端矩形焊盘的靠近第三边的一侧; 每个半桥支路对应的接地端边缘焊盘设置有相邻且在焊盘面连通的两个; 每个半桥支路对应的相电压端边缘焊盘设置有相邻且在焊盘面连通的两个。
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