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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于高级集成电路结构制造的间距划分互连获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811298444.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于高级集成电路结构制造的间距划分互连是由A·W·杨;A·马德哈范;C·P·奥特设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高级集成电路结构制造的间距划分互连在说明书摘要公布了：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括处于ILD层中并由ILD层间隔开的多个导电互连线。多个导电互连线包括第一互连线、以及与第一互连线紧邻并具有与第一互连线的宽度不同的宽度的第二互连线。第三互连线与第二互连线紧邻。第四互连线与第三互连线紧邻并具有与第二互连线的宽度相同的宽度。第五互连线与第四互连线紧邻并具有与第一互连线的宽度相同的宽度。

本发明授权用于高级集成电路结构制造的间距划分互连在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 衬底上方的第一层间电介质ILD层； 在所述第一ILD层中并由所述第一ILD层间隔开的第一多个导电互连线，所述第一多个导电互连线中的每一者包括具有第一阻挡组分的第一导电阻挡层，并且所述第一多个导电互连线中的每一者包括具有第一填充组分的第一导电填充物，并且所述第一多个导电互连线包括： 具有宽度的第一互连线； 紧邻所述第一互连线的第二互连线，所述第二互连线具有与所述第一互连线的宽度不同的宽度； 紧邻所述第二互连线的第三互连线，所述第三互连线具有宽度，其中，所述第三互连线的宽度与所述第二互连线的宽度不同，并且其中，所述第三互连线的宽度与所述第一互连线的宽度不同； 紧邻所述第三互连线的第四互连线，所述第四互连线具有与所述第二互连线的宽度相同的宽度，其中，所述第一互连线与所述第三互连线之间的第一间距不同于所述第二互连线与所述第四互连线之间的第二间距； 紧邻所述第四互连线的第五互连线，所述第五互连线具有与所述第一互连线的宽度相同的宽度；以及 紧邻所述第五互连线的第六互连线，所述第六互连线具有与所述第二互连线的宽度相同的宽度； 所述第一ILD层上方的第二ILD层；以及 在所述第二ILD层中并由所述第二ILD层间隔开的第二多个导电互连线，所述第二多个导电互连线中的每一者具有大于所述第一多个导电互接线中的所述第一互连线、所述第二互连线、所述第三互连线、所述第四互连线、所述第五互连线和所述第六互连线的最大宽度的宽度，并且所述第二多个导电互连线中的每一者包括具有第二阻挡组分的第二导电阻挡层，所述第二导电阻挡层的所述第二阻挡组分不同于所述第一导电阻挡层的所述第一阻挡组分，其中，所述第一阻挡组分或所述第二阻挡组分中的一者包括外层和内层，所述外层或所述内层中的一者具有不包括在所述外层或所述内层中的另一者中的第一金属种类，并且所述外层或所述内层中的所述另一者具有不包括在所述外层或所述内层中的所述一者中的第二金属种类，并且所述第二多个导电互连线中的每一者包括具有第二填充组分的第二导电填充物，所述第二导电填充物的所述第二填充组分不同于所述第一导电填充物的所述第一填充组分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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