三星电子株式会社朴硕汉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111354712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911312513.5，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体装置及其制造方法是由朴硕汉设计研发完成，并于2019-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括底部衬底、底部衬底上的突出结构、突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜以及突出结构的侧表面的至少一部分与多孔膜之间的空气间隙。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 底部衬底； 所述底部衬底上的突出结构； 所述突出结构的侧表面和上表面上的多孔膜； 所述突出结构的侧表面的至少一部分与所述多孔膜之间的空气间隙；以及 所述突出结构的侧表面与所述空气间隙的内表面之间的电介质层， 其中，由与所述突出结构的侧表面平行的平面和所述多孔膜的内表面形成的角沿着所述多孔膜的内表面连续改变，并且以所述突出结构的侧表面为基准沿着所述多孔膜的内表面限定凹部和凸部，并且 其中，所述多孔膜的一部分与所述电介质层的一部分接触，所述多孔膜的其余部分与所述空气间隙的一部分接触，并且所述多孔膜与所述电介质层之间的界面平滑地连接至所述多孔膜与所述空气间隙之间的界面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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