三星电子株式会社安钟善获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863822B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010142200.6，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权三维半导体存储器件是由安钟善;沈在龙;郑基容;韩智勋设计研发完成，并于2020-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：一种三维3D半导体存储器件包括：第一半导体层和第二半导体层，彼此水平地间隔开；掩埋绝缘层，在第一半导体层和第二半导体层之间；设置在第一半导体层上的第一单元阵列结构和设置在第二半导体层上的第二单元阵列结构；以及隔离结构，设置在第一单元阵列结构和第二单元阵列结构之间的掩埋绝缘层上，其中第一单元阵列结构包括：电极结构，包括在垂直于第一半导体层的顶表面的方向上堆叠的电极；和第一源极结构，设置在第一半导体层和电极结构之间，第一源极结构延伸到掩埋绝缘层上，隔离结构在第一单元阵列结构的第一源极结构和第二单元阵列结构的第二源极结构之间。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维3D半导体存储器件，包括： 第一半导体层和第二半导体层，彼此水平地间隔开； 掩埋绝缘层，在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间； 设置在所述第一半导体层上的第一单元阵列结构和设置在所述第二半导体层上的第二单元阵列结构；以及 隔离结构，设置在所述第一单元阵列结构和所述第二单元阵列结构之间的所述掩埋绝缘层上， 其中所述第一单元阵列结构包括： 电极结构，包括在垂直于所述第一半导体层的顶表面的方向上堆叠的电极；和 第一源极结构，设置在所述第一半导体层与所述电极结构之间， 所述第一源极结构延伸到所述掩埋绝缘层上，并且 所述隔离结构在所述第一单元阵列结构的所述第一源极结构与所述第二单元阵列结构的第二源极结构之间。
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