三星电子株式会社尹政昊获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010348380.3，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权非易失性存储器件及其操作方法是由尹政昊;金世润;金真弘;水崎壮一郎;曹永真设计研发完成，并于2020-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器件及其操作方法在说明书摘要公布了：提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
本发明授权非易失性存储器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，包括： 存储单元阵列，具有垂直堆叠的结构，所述存储单元阵列包括半导体层和可变电阻层，所述存储单元阵列包括多个存储单元，每个存储单元包括所述半导体层的对应部分和所述可变电阻层的对应部分，所述多个存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元； 位线，配置为将编程电压施加到所述存储单元阵列；以及 控制逻辑，配置为基于将第一电压施加到所述补偿存储单元、将第二电压施加到所述被选择的存储单元以及将第三电压施加到所述未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到所述被选择的存储单元，由于所述补偿存储单元，与所述编程电压相比，所述调节后的编程电压下降，所述第一电压允许某一大小的电流流动到所述补偿存储单元，所述第二电压允许所述电流仅流动到所述被选择的存储单元的所述可变电阻层的所述对应部分，所述第三电压允许所述电流仅流动到所述未被选择的存储单元的所述半导体层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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