意法半导体股份有限公司F·V·丰塔纳获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利用于半导体器件的封装的引线框架、半导体器件以及用于制造半导体器件的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010757285.9，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权用于半导体器件的封装的引线框架、半导体器件以及用于制造半导体器件的工艺是由F·V·丰塔纳设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件的封装的引线框架、半导体器件以及用于制造半导体器件的工艺在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种用于半导体器件的封装的引线框架、半导体器件以及用于制造半导体器件的工艺。用于集成电子器件的引线框架包括由第一金属材料制成的裸片焊盘。由第二金属材料形成的顶部涂层布置在裸片焊盘的顶部表面上。第二金属材料具有与第一金属材料相比更低的氧化速率。顶部涂层使裸片焊盘的顶部表面的多个角部裸露。例如与接线键合相关发生的后续加热操作，使得在裸片焊盘的顶部表面的角部上的、与顶部涂层接触的位置处形成氧化层。
本发明授权用于半导体器件的封装的引线框架、半导体器件以及用于制造半导体器件的工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于集成电子器件的引线框架，包括： 裸片焊盘，由第一金属材料制成，并且所述裸片焊盘包括顶部表面； 顶部涂层，由第二金属材料制成，并且所述顶部涂层布置为与所述顶部表面接触，其中所述第二金属材料具有比所述第一金属材料的氧化速率更低的氧化速率，以及 氧化涂层，所述氧化涂层覆盖所述裸片焊盘在未被所述顶部涂层覆盖的角部处的所述顶部表面， 其中所述顶部涂层覆盖所述顶部表面的全部，除了所述裸片焊盘的所述顶部表面的角部，所述角部未被所述顶部涂层覆盖并且彼此分离，并且， 其中所述氧化涂层与所述顶部涂层横向接触。
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